Dlaczego tak
W tranzystorach unipolarnych prąd płynie przez kanał, a przewodzenie odbywa się nośnikami jednego rodzaju; sterowanie zachodzi polem elektrycznym bramki — dotyczy to tranzystorów JFET i MOSFET. Tranzystor IGBT ma bramkę izolowaną jak MOSFET, co bywa mylące, ale część wyjściowa pracuje jak tranzystor bipolarny, więc jest elementem hybrydowym. Układ Darlingtona to połączenie dwóch tranzystorów bipolarnych.