Dlaczego tak
RDS(on) to rezystancja dren–źródło w stanie włączenia; straty przewodzenia wynoszą P = I²·RDS(on), więc im mniejsza ta rezystancja, tym mniej ciepła wydziela się w kluczu. hFE to wzmocnienie prądowe tranzystora bipolarnego, UZ — napięcie diody Zenera, a IF(AV) — średni prąd przewodzenia diody.