Kalkulator strat w tranzystorze mocy

Straty przewodzenia i przełączania w MOSFET-cie i IGBT, z temperaturą złącza i osobno wykazanymi stratami bramkowymi.

Dane wejściowe

Element

Straty przewodzenia z R_DS(on) — rosną z kwadratem prądu i mocno z temperaturą.

Napięcie blokowane U

Prąd skuteczny I

Wypełnienie D

Ułamek okresu, w którym element przewodzi.

Częstotliwość przełączania f

R_DS(on) w 25 °C

Mnożnik temperaturowy

1,5–2,0 dla gorącej struktury. 1 zostawia wartość katalogową.

Czas narastania t_r

Czas opadania t_f

Ładunek bramki Q_g

Opcjonalnie — do strat drivera.

Napięcie sterowania bramki

Pojemność wyjściowa C_OSS

Opcjonalnie.

Rezystancja cieplna złącze–otoczenie

Opcjonalnie — do temperatury złącza.

Temperatura otoczenia

Straty w tranzystorze

14,8W

Bez strat bramkowych — te płaci driver, nie struktura. Na tę wartość dobiera się radiator.

Zapisywanie obliczeń wymaga konta — Zaloguj się.

Szacuje czas pracy urządzenia na podstawie pojemności baterii i poboru prądu.

Konwertuje moc między decybelo-miliwatami (dBm) a watami.

Napięcie po prostowniku, tętnienia i pojemność kondensatora filtrującego dla układu jedno- i dwupołówkowego.