Dlaczego tak
Moc strat w przewodzącym tranzystorze MOSFET oblicza się jak dla rezystora: P = I² · RDS(on) = 10² · 0,05 = 5 W, dlatego mała RDS(on) jest kluczowym parametrem przy doborze kluczy dużych prądów. Wynik 0,5 W to iloczyn I · RDS(on), czyli spadek napięcia w woltach, a nie moc. Wynik 50 W wynika z pomyłki o rząd wielkości, a 200 W to I / RDS(on).